跨時代的被動元件材料
第三代半導體材料氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC），因擁有小尺寸、耐高溫、耐高壓等特性，將帶動電源、工業、電動車等應用邁向下一個新時代，被動元件業者普遍看好，中高壓、高容值被動元件需求可望跟進成長趨勢，需求同步放大。
第三代半導體適用於更嚴苛的作業環境，應用範圍廣
被動元件業者分析，第三代半導體材料發展勢必同步帶動大功率被動元件需求，以氮化鎵為例，由於氮化鎵 Mosfet 具有小巧、高效、發熱低等特點，電源內部設計空間因此增加，原本尺寸小的電解電容及 Disc 安規電容，皆將轉換為大尺寸 MLCC。
氮化鎵應用包括 5G 基地台與手機、三大領域，碳化矽相較氮化鎵，更耐高溫、耐高壓，較適合應用於嚴苛的環境，應用包括不斷電系統、智慧電網、電源供應器等高功率應用領域。
第三代半導體應用高頻通訊如 5G、衛星通訊
第 1，是將氮化鎵材料用來製作 5G、高頻通訊的材料（簡稱 RF GaN）。過去 20 年，許多人想用成熟的矽製程，做出可以用在 5G 高頻通訊上的零組件3002
結果生產出來的矽晶片非常燙，根本無法使用業界人士觀察，通訊會愈來愈往高頻發展，需要更耐高溫的材料，相信未來高頻通訊晶片都是化合物半導體的天下
第三代半導體應用 2》低電壓的電源供應器
第 2 ，是用氮化鎵製造電源轉換器（簡稱 Power GaN），這是目前最熱門的領域。過去生產相關產品，最難的部分是取得碳化矽的基板
但近幾年，市場開始出現將氮化鎵堆疊在矽基板上的技術（GaN on Si）。這種技術大幅降低化合物半導體成本，用在生產處理數百伏特的電壓轉換，可以做到又小又省電。目前市面上已經可以看到，原本便當大小的筆電變壓器，已經能做到只有餅乾大小，許多大廠目前更積極要把這種技術內建在高階手機和筆電裡。
第三代半導體應用 3》高電壓的汽車電源供應器
第 3，則是碳化矽供電晶片（SiC）。碳化矽材料的特殊之處在於，如果要轉換接近 1,000 伏特以上的高電壓，就只有碳化矽能達到要求；換句話說，如果要用在高鐵，轉換風力發電，或是推動大型的電動船、電動車，碳化矽都能更有效率。
第三代半導體是未來各國搶占電動車、新能源，甚至國防、太空優勢，不能忽視的關鍵技術，誰在這個領域領先，誰就能在這個領域勝出。
大環境對第三代半導體的需求高漲！
據資料顯示，氮化鎵市場規模從今年到 2022 年，年複合成長率（CAGR）高達 60%；碳化矽到 2022 年的年複合成長率也高達 40%，也可望帶動大尺寸、高功率的被動元件需求隨之增加。
此外，目前不論蘋果或是中系手機業者，都朝快充領域發展。預計到 2022 年，快充可望普及化，對中壓高容的 MLCC 需求大幅提升；另外，電動車充電則是特高壓應用，兩者都是未來趨勢，國內被動元件廠也積極展開佈局。
欣統公司給您最合理的價格，晶片電容現貨庫存查詢,多元產品服務！
好品質 交期穩 值得您信賴！歡迎您來信來電詢問！
連絡電話：(02) 2698-1011
連絡信箱：mayyue@synton.com.tw